1992年，64M DRAM，韓國人略微搶先於日本人。

1992年三星環球第一個勝利研製64M DRAM。64M DRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片麵積為135mm2，整合度為140000000。

半導體產業產值從不敷2000萬美圓，增加到15億美金以上。

韓國人幾近是不費吹灰之力就贏取了這場“韓日NAND FLASH戰役”，這就是韓國人的“反週期投資”。

從科技紅利思惟的角度，龐煖們看看韓國人又是如何通過進步壓強係數，實現對日本人的逆襲。

其他苔彎DRAM企業虧損彆離為，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。

具有一個廣漠的計謀市場縱深，意義是不凡的。

韓國當代以21.26億美金居第三位。

2008年環球金融危急發作後，一年時候內，環球DRAM財產累計虧損超越125億美金，苔彎省DRAM財產更是全線崩盤。

2011年韓國三星與日本東芝在NAND FLASH範疇展開環球合作。

5年時候，韓國半導體產業產值達41.87億美金，期間增加176%。

第一，挺進天朝大陸市場，修建廣漠的計謀縱深。

256M DRAM：4個月內，月產量由40萬顆進步到140萬顆，增加了250%，出產比重由2.4%進步到6%。

1989年三星第一塊4M DRAM與日本人幾近是同時投放市場的。

1986-1997年，第二次DRAM天下大戰-日韓半導體戰役發作。

墮入1997年東南亞金融危急的韓國海力士(Hynix)，以3.8億美金的代價，將TFT-LCD部分團體售給京東方，海力士就此專注於DRAM範疇，並獲得貴重的資金和天朝市場。

彆的，在20億美金總投資以外，無錫市當局還承擔廠房扶植，無錫市當局一共出資3億美圓扶植兩座占地54萬平方米，麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體利用。

如同日韓半導體戰役中，米國人放開米國海內市場給韓國人普通。挺進天朝大陸市場，韓國人具有了廣漠的計謀縱深。

由此，韓國人半導體財產鏈上遊關頭設備和電子化學品原質料初具範圍。

但對峙財產鏈的橫向擴大，這是成為半導體強國的必經之路。