韓國半導體出口產值達25.33億美金，期間增加113%。

反觀韓國人，依托天朝大陸市場的計謀縱深，仰仗無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時候就規複元氣。

不到十年時候，韓國人一舉打倒日本人，緊緊占有了環球半導體內存市場。

金融危急中，依托天朝大陸市場，韓國人化“危”為“機”。

到1999年，韓國人環球第一個開辟1G DRAM。

2009年第二季度，淨虧損僅為580億韓元(0.45億美金)。

為了拉開與東芝的差異，三星決定新建NAND FLASH工廠。

再比如，三星，依托天朝大陸市場縱深，在“韓日NAND FLASH戰役”中，完整打倒老敵手日本東芝。

韓國半導體出口產值131億美金，期間增加418%。

在整合度方麵，韓國人是日本人的360%。

2、2、西安市每年向三星補助水、電、綠化、物流用度5億元。

這就是韓國人所謂的“反週期投資”。

這纔有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的環球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。

1992年，64M DRAM，韓國人略微搶先於日本人。

從米國SUN公司引進JAVA措置器技術。

隨後，海力士又向天朝商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80奈米工藝)並敏捷通過審批。

1986-1997年，第二次DRAM天下大戰-日韓半導體戰役發作。

彆的，在20億美金總投資以外，無錫市當局還承擔廠房扶植，無錫市當局一共出資3億美圓扶植兩座占地54萬平方米，麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體利用。

2011年韓國三星與日本東芝在NAND FLASH範疇展開環球合作。

即便天朝諸多企業溢價用钜額資金采辦也是諸多困難。

從法國STM(意法半導體)引進DSP晶片技術。

采取的首要技術為超淨技術和3.3V低電壓化技術。

這一期間，韓國半導體產業產值超越225億美金，期間增加437%。

第四，財產鏈橫向擴大，從存儲器晶片到CPU晶片、DSP晶片等。