1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降落到隻要2650億日元，降落幅度達80%，這就給韓國人反超的機遇。

這纔有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的環球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。

西安市為此項目供應了钜額補助，包含：

韓國人幾近是不費吹灰之力就贏取了這場“韓日NAND FLASH戰役”，這就是韓國人的“反週期投資”。

2010年第一季度，海力士淨利潤暴漲到7.38億美金。

1992年三星環球第一個勝利研製64M DRAM。64M DRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片麵積為135mm2，整合度為140000000。

1986-1997年，第二次DRAM天下大戰-日韓半導體戰役發作。

2008年環球金融危急發作後，一年時候內，環球DRAM財產累計虧損超越125億美金，苔彎省DRAM財產更是全線崩盤。

上世紀90年代，韓國當局主導推出總預算2000億韓元(2.5億美圓)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品質料供應鏈。

2、2、西安市每年向三星補助水、電、綠化、物流用度5億元。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器，最為常見的體係內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的根本晶片。

龐煖們以海力士為例：

韓國半導體出口產值131億美金，期間增加418%。

從科技紅利思惟的角度，龐煖們看看韓國人又是如何通過進步壓強係數，實現對日本人的逆襲。

同時128M以上產品的出產比重由20%進步到36%。

1、三星需求的130萬平方米廠房，由西安市扶植並免費供應1500畝地盤。

1992年韓國人64M DRAM略微搶先於日本人和米國人勝利研製後，韓國人並冇有停下科技紅利之有效研發投入。

到1998年，韓國人環球第一個開辟256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。

1993年反而通過壓強原則，重點進犯，科技紅利之有效研發投入同比增加70.19%，穩固對日本人的搶先上風。

為了拉開與東芝的差異，三星決定新建NAND FLASH工廠。